FET GaN

ໃນວົງຈອນກຳລັງສະໄໝໃໝ່ ຄວາມຕ້ອງການຫຼັກມັກຢູ່ທີ່ການສະວິດໄວ, ສູນເສຍພະລັງງານຕ່ຳ ແລະ ການອອກແບບໃຫ້ກະທັດຮັດ. ນັ່ນເປັນເຫດຜົນທີ່ FET GaN ໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈຫຼາຍໃນວຽກງານອິເລັກທຣອນິກກຳລັງ, ລະບົບຈ່າຍໄຟ, ການແປງພະລັງງານ ແລະ ງານອອກແບບທີ່ຕ້ອງການປະສິດທິພາບສູງ.

ໜ້າໝວດນີ້ລວບລວມອຸປະກອນ GaN FET ສຳລັບຜູ້ອອກແບບ, ນັກພັດທະນາສິນຄ້າ, ຝ່າຍຈັດຊື້ ແລະ ວິສະວະກອນ B2B ທີ່ຕ້ອງການຄັດເລືອກຊິ້ນສ່ວນໃຫ້ເໝາະກັບແຮງດັນ, ກະແສ, ຮູບແບບການຕິດຕັ້ງ ແລະ ຂໍ້ຈຳກັດຂອງແຕ່ລະໂຄງການ.

FET GaN ເໝາະກັບວຽກງານແບບໃດ

GaN FET ຫຼື Gallium Nitride Field-Effect Transistor ເປັນອຸປະກອນສະວິດທີ່ຖືກນຳໃຊ້ໃນວົງຈອນກຳລັງທີ່ຕ້ອງການຄວາມຖີ່ການສະວິດສູງ ແລະ ຊ່ວຍຫຼຸດການສູນເສຍໃນຂະນະເຮັດວຽກ. ໃນທາງປະຕິບັດ ອຸປະກອນກຸ່ມນີ້ມັກພົບໄດ້ໃນ power conversion, DC-DC converter, charger, telecom power stage ແລະ ບາງລະບົບອຸດສາຫະກຳທີ່ເນັ້ນຄວາມໜາແນ້ນພະລັງງານ.

ເມື່ອທຽບກັບອຸປະກອນກຳລັງປະເພດອື່ນ ການເລືອກ GaN ມັກມີປະໂຫຍດເມື່ອຜູ້ອອກແບບຕ້ອງການຫຼຸດຂະໜາດວົງຈອນແມ່ເຫຼັກ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບ ຫຼື ຄວບຄຸມຄວາມຮ້ອນໃນພື້ນທີ່ຈຳກັດ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ ການນຳໃຊ້ໃຫ້ໄດ້ຜົນດີຈະຂຶ້ນກັບການອອກແບບ gate drive, layout ແລະ ການຈັດການ parasitic ໃນລະບົບ.

ຈຸດທີ່ຄວນເບິ່ງເມື່ອເລືອກອຸປະກອນ

ການເລືອກ FET GaN ບໍ່ຄວນດູແຕ່ແຮງດັນ ຫຼື ກະແສເທົ່ານັ້ນ. ຈຸດສຳຄັນທີ່ຄວນພິຈາລະນາມີທັງ Drain Source Voltage (Vds), ຄ່າກະແສຕໍ່ເນື່ອງ, ຮູບແບບ package, ການຕິດຕັ້ງ Surface Mount ແລະ ຄ່າ on-resistance ທີ່ກະທົບຕໍ່ການສູນເສຍກຳລັງໂດຍກົງ.

ສຳລັບວົງຈອນທີ່ສະວິດໄວ ຄ່າ gate charge ແລະ package inductance ກໍ່ມີຄວາມສຳຄັນຫຼາຍ. ບາງໂຄງການອາດໃຫ້ນ້ຳໜັກກັບຂະໜາດ SMD ເພື່ອຊ່ວຍຫຼຸດພື້ນທີ່ບອດ, ໃນຂະນະທີ່ບາງວຽກອາດຕ້ອງການ package ທີ່ຮອງຮັບການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ ແລະ ການຈັດວາງລາຍວົງຈອນໄດ້ດີກວ່າ.

ຕົວຢ່າງສິນຄ້າໃນໝວດນີ້

ໃນກຸ່ມສິນຄ້າທີ່ພົບໄດ້ ຈະມີທັງອຸປະກອນຈາກ Renesas Electronics ແລະ Infineon ທີ່ນັກອອກແບບມັກນຳໄປພິຈາລະນາຕາມເງື່ອນໄຂວົງຈອນ. ຕົວຢ່າງເຊັ່ນ Renesas Electronics ISL70024SEHML, ISL70023SEHML ຫຼື ISL73024SEHML ຢູ່ໃນຮູບແບບ Surface Mount ທີ່ເໝາະກັບການປະກອບບອດຄວາມໜາແນ້ນສູງ.

ທາງຝັ່ງ Infineon ກໍມີຮຸ່ນຢ່າງ IGT40R070D1E8220ATMA1 ແລະ IGT60R190D1SATMA1 ທີ່ໃຫ້ຂໍ້ມູນຊັດເຈນເລື່ອງ Vds, gate charge ແລະ case style ເຊັ່ນ HSOF. ນອກຈາກນັ້ນ ຍັງມີ