ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 7.136 g
Output Power: 350 W
Mounting Style: Through Hole
Qg - Gate Charge: 42 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 18 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 6.4 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 530 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.6 V
