WeEn Semiconductors BUJ103AX,127 BJTs - ບິໂພລາ ທຣານຊິສຕໍເຣອດ SILICON DIFFUSED POWER TRANSISTOR
ModelBUJ103AX,127
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Width: 4.6 mm
Height: 15.8 mm
Length: 10.3 mm
Technology: Si
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 26 W
DC Current Gain hFE Max: 32
Collector- Base Voltage VCBO: 700 V
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 10
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ