Vishay SIRA66DP-T1-GE3 MOSFET
ຜູ້ຜະລິດVishay(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelSIRA66DP-T1-GE3
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Vgs(th): 2.2 V
Vgs (Max): +20|-16V
Gate Charge (Qg): 66nC
Power consumption: 62.5W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 30V
Continuous drain current: 50A
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 2.3mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5|10V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ