ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Type: Power MOSFET
FET Feature: Logic Level Gate
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 2.8W
Operating temperature: -55 to 150C
Drain to Source voltage: 25V
Continuous drain current: 8A
Current - Drain (Id) (25°C): 8A
Field-effect transistor type: 2N-Channel(Dual)
Gate Charge - (when applying Vgs): 18nC@10V
Drain to Source on-state resistance: 23mOhm
On Voltage - (Vgs when Id is applied): 2.2V@250uA
On Resistance - (Rds when Id,Vgs is applied): 23mOhm@7A|10V
Input Capacitance - (Ciss when Vds is applied): 680pF@13V
