Vishay SI1926DL-T1-GE3 MOSFET
ຜູ້ຜະລິດVishay(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelSI1926DL-T1-GE3
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
FET Feature: Logic Level Gate
Mounting Type: Surface Mount
Power-Maximum: 510mW
Operating temperature: -55 to 150C
Drain to Source voltage: 60V
Current - Drain (Id) (25°C): 370mA
Field-effect transistor type: 2N-Channel(Dual)
Gate Charge - (when applying Vgs): 1.4nC@10V
On Voltage - (Vgs when Id is applied): 2.5V@250uA
On Resistance - (Rds when Id,Vgs is applied): 1.4Ohm@340mA|10V
Input Capacitance - (Ciss when Vds is applied): 18.5pF@30V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ