ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Fall Time: 60 ns
Rise Time: 40 ns
Technology: Si
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 P-Channel
Qg - Gate Charge: 16 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 2.78 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 5 V, + 5 V
Typical Turn-On Delay Time: 9 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 50 ns
Id - Continuous Drain Current: 1.6 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 78 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
