ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 85 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 11.3 nC, 11 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation: 3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 36 mOhms, 100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 400 mV, 800 mV
