ທຣານສິດເຕີບາຍເລ

ໃນວົງຈອນອິເລັກທຣອນິກຈຳນວນຫຼາຍ ການຄວບຄຸມກະແສ, ການຂະຫຍາຍສັນຍານ ແລະ ການສະຫຼັບສະຖານະໃຫ້ແມ່ນຍຳ ມັກອາໄສອຸປະກອນ semiconductor ທີ່ເລືອກໄດ້ຖືກກັບພາລະງານ. ທຣານສິດເຕີບາຍເລ ຫຼື BJT ເປັນອົງປະກອບພື້ນຖານທີ່ຍັງຖືກນຳໃຊ້ຢ່າງກວ້າງໃນງານຄວບຄຸມ, ວົງຈອນສັນຍານ, ບອດອຸດສາຫະກຳ ແລະ ອຸປະກອນຝັງຕົວ.

ໜ້າໝວດນີ້ຮວບຮວມອຸປະກອນ BJT ທີ່ໃຊ້ງານໃນຫຼາຍບໍລິບົດ ຕັ້ງແຕ່ການຂັບໂຫຼດຂະໜາດນ້ອຍ, ການສ້າງວົງຈອນ switching, ໄປຈົນເຖິງງານອອກແບບທີ່ຕ້ອງການ transistor ແບບ prebias ເພື່ອຫຼຸດຈຳນວນອົງປະກອບໃນບອດ. ສຳລັບຜູ້ອອກແບບ, ຝ່າຍຈັດຊື້ ແລະ ທີມຊ່ອມບຳລຸງ B2B, ການເຂົ້າໃຈຄຸນລັກສະນະຂອງ BJT ຈະຊ່ວຍໃຫ້ເລືອກອາໄຫຼ່ໄດ້ກົງກັບການນຳໃຊ້ຫຼາຍຂຶ້ນ.

ບົດບາດຂອງ BJT ໃນວົງຈອນອຸດສາຫະກຳ

BJT ເປັນ transistor ທີ່ອາໄສການຄວບຄຸມກະແສທີ່ຂາ base ເພື່ອກຳນົດກະແສລະຫວ່າງ collector ແລະ emitter. ຈຸດເດັ່ນຂອງອຸປະກອນກຸ່ມນີ້ຄືການນຳໄປໃຊ້ໄດ້ທັງໃນໂໝດຂະຫຍາຍສັນຍານ ແລະ ໂໝດ switching ຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງວົງຈອນ.

ໃນງານອຸດສາຫະກຳ BJT ມັກປະກົດໃນບອດຄວບຄຸມ, sensor interface, logic level shifting ແລະ ວົງຈອນຂັບໂຫຼດ. ຖ້າງານຕ້ອງການ semiconductor ອີກປະເພດເພື່ອຮອງຮັບ switching ຫຼື ພາລະງານທີ່ແຕກຕ່າງ ຜູ້ໃຊ້ອາດພິຈາລະນາ MOSFET ເພີ່ມເຕີມຕາມລັກສະນະງານ.

ປະເພດທີ່ພົບໄດ້ໃນໝວດນີ້

ພາຍໃນໝວດສິນຄ້ານີ້ຈະພົບທັງ NPN, PNP ແລະ prebias transistor ທີ່ມີຕົວຕ້ານທານຖືກລວມຢູ່ພາຍໃນ. ຮູບແບບ prebias ເໝາະສຳລັບວົງຈອນທີ່ຕ້ອງການລົດຈຳນວນຊິ້ນສ່ວນ, ປະຢັດເນື້ອທີ່ PCB ແລະ ຊ່ວຍໃຫ້ການຈັດວາງບອດງ່າຍຂຶ້ນ.

ຕົວຢ່າງທີ່ເຫັນໄດ້ຈາກ Diodes Incorporated ເຊັ່ນ DDTB114GU-7-F, DDTB114TC-7-F, DDTB114EU-7-F, DDTB114GC-7-F ແລະ DDTB113ZU-7-F ເປັນ PNP-Prebias ທີ່ມີການລວມ R1/R2 ພາຍໃນຕົວ. ອີກດ້ານໜຶ່ງ BCX5116TC, ZXT3M322 ແລະ ZXTCM322TA ສະທ້ອນໃຫ້ເຫັນວ່າໝວດນີ້ຄອບຄຸມທັງ transistor ສຳລັບງານທົ່ວໄປ ແລະ ຮອງຮັບກະແສໃນລະດັບສູງຂຶ້ນ.

ຕົວຢ່າງສິນຄ້າທີ່ນ່າສົນໃຈ

ສຳລັບວົງຈອນຄວບຄຸມແບບ compact ທີ່ຕ້ອງການ transistor prebias, ຮຸ່ນ DDTB114GU-7-F ແລະ DDTB114TC-7-F ເປັນຕົວເລືອກທີ່ຄວນພິຈາລະນາ ເນື່ອງຈາກອອກແບບມາໃຫ້ໃຊ້ໃນງານ Surface Mount ແລະ ມີ collector-emitter voltage ລະດັບ 50V ຕາມຂໍ້ມູນສິນຄ້າ. ກຸ່ມນີ້ເໝາະກັບງານຄວບຄຸມສັນຍານ, ຂາເຂົ້າ logic ຫຼື ການຂັບໂຫຼດຂະໜາດບໍ່ໃຫຍ່.

ຖ້າຕ້ອງການ transistor ທົ່ວໄປແບບ discrete, ZXT3M322 ແບບ PNP ແລະ ZXTCM322TA ແບບ NPN ຈາກ Diodes Incorporated ເປັນຕົວຢ່າງຂອງອຸປະກ