MOSFET SiC

ໃນລະບົບພະລັງງານໄຟຟ້າສະໄໝໃໝ່, ອຸປະກອນ switching ບໍ່ໄດ້ມີບົດບາດພຽງແຕ່ເປີດ-ປິດວົງຈອນເທົ່ານັ້ນ, ແຕ່ຍັງມີຜົນຕໍ່ປະສິດທິພາບ, ຄວາມຮ້ອນ, ຂະໜາດລະບົບ ແລະ ຄວາມໜ້າເຊື່ອຖືໂດຍລວມ. ສໍາລັບງານ power electronics ທີ່ຕ້ອງການການສູນເສຍຕໍ່າ, switching ໄວ ແລະ ຮອງຮັບແຮງດັນສູງ, MOSFET SiC ເປັນທາງເລືອກທີ່ຖືກນໍາໄປໃຊ້ຫຼາຍຂຶ້ນໃນລະບົບອຸດສາຫະກໍາ ແລະ ອຸປະກອນແປງພະລັງງານ.

ໝວດນີ້ເໝາະສໍາລັບຜູ້ອອກແບບວົງຈອນ, ວິສະວະກອນຊ່ອມບໍາລຸງ, ຜູ້ຈັດຊື້ອຸປະກອນ B2B ແລະ ທີມງານ R&D ທີ່ກໍາລັງຊອກຫາ semiconductor ສໍາລັບງານ converter, inverter, motor drive ຫຼື ລະບົບຈັດການພະລັງງານທີ່ຕ້ອງການສະມັດຖະນະສູງກວ່າອຸປະກອນ silicon ແບບທົ່ວໄປ.

ຈຸດເດັ່ນຂອງ MOSFET SiC ໃນງານພະລັງງານ

Silicon Carbide ເປັນວັດສະດຸ semiconductor ທີ່ເໝາະກັບການທໍາງານໃນສະພາບແຮງດັນສູງ, ອຸນຫະພູມສູງ ແລະ switching ຄວາມໄວສູງ. ເມື່ອນໍາມາພັດທະນາເປັນ MOSFET ຈຶ່ງຊ່ວຍຫຼຸດ switching loss ແລະ conduction loss ໃນຫຼາຍກໍລະນີ, ໂດຍຉິ່ງໃນວົງຈອນທີ່ທໍາງານດ້ວຍແຮງດັນລະດັບກາງຫາສູງ.

ໃນມຸມມອງການອອກແບບລະບົບ, ອຸປະກອນປະເພດນີ້ມັກຊ່ວຍໃຫ້ຫຼຸດຂະໜາດຊຸດລະບາຍຄວາມຮ້ອນ, ເພີ່ມຄວາມໜາແໜ້ນກໍາລັງຂອງລະບົບ ແລະ ສະໜັບສະໜູນການອອກແບບທີ່ກະທັດຮັດຂຶ້ນ. ສໍາລັບອົງກອນທີ່ຄິດໄລ່ຕົ້ນທຶນລວມຂອງລະບົບ, ນີ້ເປັນປັດໃຈສໍາຄັນບໍ່ແພ້ລາຄາອຸປະກອນຕໍ່ຊິ້ນ.

ເໝາະກັບງານແບບໃດ

MOSFET SiC ມັກຖືກເລືອກໃຊ້ໃນວົງຈອນທີ່ມີການແປງພະລັງງານຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ ຫຼື ຕ້ອງຮັບມືກັບ switching frequency ສູງ. ຕົວຢ່າງການນໍາໄປໃຊ້ທີ່ພົບໄດ້ບໍ່ຍາກ ໄດ້ແກ່ DC-DC converter, AC-DC power supply, inverter, UPS, solar power conversion, EV charging ແລະ ລະບົບຂັບມໍເຕີໃນບາງຊ່ວງກໍາລັງ.

ສໍາລັບງານອຸດສາຫະກໍາ, ການເລືອກໃຊ້ SiC ມັກກ່ຽວພັນກັບເປົ້າໝາຍດ້ານປະສິດທິພາບ, ການຫຼຸດຄວາມຮ້ອນ ຫຼື ການຍໍ້ຂະໜາດແມ່ເຫຼັກແລະຟິວເຕີ. ຖ້າລະບົບມີຂໍ້ຈໍາກັດເລື່ອງ efficiency ແລະ thermal design, ໝວດນີ້ຄວນຖືກນໍາມາພິຈາລະນາຢ່າງຈິງຈັງ.

ວິທີເລືອກໃຫ້ເໝາະກັບວົງຈອນ

ການເລືອກ power transistor ບໍ່ຄວນມອງພຽງແຕ່ຄ່າແຮງດັນ ຫຼື ກະແສສູງສຸດໃນ datasheet. ສໍາລັບ MOSFET SiC, ຄວນພິຈາລະນາຮ່ວມກັນຫຼາຍປັດໃຈ ເຊັ່ນ switching speed, gate drive requirement, ພຶດຕິກໍາທາງຄວາມຮ້ອນ, ລະດັບ dv/dt ແລະ ຄວາມເໝາະສົມກັບ topology ຂອງລະບົບ.

• ເລືອກຄ່າແຮງດັນທີ່ມີ margin ເໝາະກັບ bus voltage ແລະ transient
• ກວດເບິ່ງຄ່າ on-resistance ໃຫ້ສົມດຸນກັບ switching loss
• ພິຈາລະນາ package ແລະ ການລະບາຍຄວາມຮ້ອນໃນການປະກອບຈິງ
• ກວດຄວາມເໝາະສົມກັບ gate driver, layout ແລະ EMI target

ຖ້າທ່ານກໍາລັງປຽ