ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 360 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1.1 W
DC Current Gain hFE Max: 250 at 1 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 8 V
Collector- Base Voltage VCBO: 800 V
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 80 at 1 mA, 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 375 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
