ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 3 mg
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Qg - Gate Charge: 1 nC, 1.6 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Pd - Power Dissipation: 150 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 8 V
Typical Turn-On Delay Time: 5.5 ns, 8 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 8.5 ns, 26 ns
Id - Continuous Drain Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 1.4 S, 0.5 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 235 mOhms, 390 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V
