Toshiba HN1C01FU-Y,LF BJTs - ບິໂພລາ ທຣານຊິສຕໍເຕີ NPN + NPN ທຣານຊິສຕໍເຕີອຸດສາຫະກຳ, VCEO=50V, IC=0.15A, hFE=120 ຫາ 400 ໃນຊຸດ SOT-26 (SM6)
ຜູ້ຜະລິດToshiba(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelHN1C01FU-Y,LF
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Unit Weight: 6.800 mg
Configuration: Dual
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 200 mW
DC Current Gain hFE Max: 400
Gain Bandwidth Product fT: 80 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Maximum DC Collector Current: 150 mA
Maximum Operating Temperature: + 125 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 100 mV
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ