ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 4 mm
Height: 1.65 mm
Length: 5 mm
Fall Time: 4 ns
Rise Time: 4 ns
Technology: Si
Unit Weight: 74 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 2 N-Channel
Qg - Gate Charge: 10 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 2 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 30 V, + 30 V
Typical Turn-On Delay Time: 6.7 ns
Id - Continuous Drain Current: 400 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 4.1 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 450 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.3 V
