ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 18 dB
Technology: Si
Output Power: 100 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: LDMOS FET
Number of Channels: 1 Channel
Operating Frequency: 1 GHz
Transistor Polarity: N-Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 8 V, + 10 V
Id - Continuous Drain Current: 18 A
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
