STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7 SiC MOSFETS ຊິລິກອນຄາບາດ Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)

Name: STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7 SiC MOSFETS ຊິລິກອນຄາບາດ Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
Brand: STMicroelectronics

ຜູ້ຜະລິດSTMicroelectronics(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)

ModelSCTH40N120G2V-7

ຕິດຕໍ່

ຈຳນວນ

ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ

ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ

ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ

ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ

Fall Time: 13 ns

Rise Time: 5 ns

Technology: SiC

Unit Weight: 1.450 g

Channel Mode: Enhancement

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Qg - Gate Charge: 63 nC

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Pd - Power Dissipation: 250 W

Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 22 V

Typical Turn-On Delay Time: 11 ns

Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns

Id - Continuous Drain Current: 33 A

Maximum Operating Temperature: + 175 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 75 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5 V

ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ

ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.

ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.

ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ

ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ