ROHM Semiconductor RGS50NL65DHRBTL IGBT Transistors ຄວາມທົນທານຕໍ່ວົງຈອນສັ້ນ 8us, 650V 25A, FRD ໃນຕົວ, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65DHRB ເປັນ IGBT ຮັບປະກັນ SCSOA 8s, ເໝາະສຳລັບ inverter ທົ່ວໄປ ສຳລັບການນຳໃຊ້ໃນຍານຍົນ ແລະ ອຸດສາຫະກຳ. ຜະລິດຕະພັນນີ້ປະຕິບັດຕາມການຮັບຮອງ AEC-Q101.
ModelRGS50NL65DHRBTL
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Pd - Power Dissipation: 206 W
Gate-Emitter Leakage Current: 200 nA
Maximum Gate Emitter Voltage: 30 V
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.1 V
Continuous Collector Current at 25 C: 50 A
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ