ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 3 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 150 mW
DC Current Gain hFE Max: 560 at - 1 mA, - 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 350 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 20 V
Continuous Collector Current: - 200 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 120 at - 1 mA, - 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
