ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 1.6 mm
Height: 0.85 mm
Length: 2.9 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2.861 g
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 680 at 500 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 360 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 15 V
Maximum DC Collector Current: 3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 270 at 500 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 12 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
