ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 11 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 123 mg
Output Power: 22 W
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Development Kit: TGF2979-SMEVB1
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 49 W
Maximum Operating Frequency: 12 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Id - Continuous Drain Current: 1.8 A
Maximum Operating Temperature: + 225 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 2.7 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 32 V
