ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 18.4 dB
Technology: GaN
Output Power: 12.5 W
Mounting Style: SMD/SMT
Development Kit: QPD1014EVB01
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 15.8 W
Maximum Drain Gate Voltage: 55 V
Maximum Operating Frequency: 1.2 GHz
Minimum Operating Frequency: 30 MHz
Id - Continuous Drain Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 145 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
