ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 24 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 5.756 g
Output Power: 17 W
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Development Kit: QPD1009-EVB1
Transistor Type: HEMT
Moisture Sensitive: Yes
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 17.5 W
Maximum Operating Frequency: 4 GHz
Minimum Operating Frequency: 0 Hz
Id - Continuous Drain Current: 700 mA
Maximum Operating Temperature: + 85 C
Minimum Operating Temperature: - 40 C
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: 145 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 2.8 V
