ໜ້າຫຼັກ

ການບັນຈຸ

ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ບໍລິການສ້ອມແປງອຸປະກອນ
ພະນັກງານ
ວັດທະນາທຳບໍລິສັດ

ຂ່າວສານ-ເວທີ

ຄູມືການໃຊ້ງານ
ແຈ້ງການ
ສຳລັບຜູ້ສະໜອງ
ສຳລັບລູກຄ້າ
ແນະນຳສິນຄ້າ
ຜູ້ຜະລິດ
ຜູ້ຜະລິດ
ເວທີ

ບໍລິການ

ບໍລິການ ກວດກາ
ບໍລິການສ້ອມແປງອຸປະກອນ
ບໍລິການປັບທຽບ
ບໍລິການໃຫ້ເຊົ່າອຸປະກອນ

ຜູ້ຜະລິດ ເຫດການ - ງານວາງສະແດງ

© 2011 - 2026 EMIN.COM.LA. ສະຫງວນລິຂະສິດ.

Qorvo QPD0020 GaN FETs DC-6 GHz, 3 W, 48V GaN RF Pwr Tr | EMIN.COM.LA

FET GaN
Qorvo QPD0020 GaN FETs DC-6 GHz, 3 W, 48V GaN RF Pwr Tr

ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ

ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.

ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.

ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ

ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ

Product image

Qorvo QPD0020 GaN FETs DC-6 GHz, 3 W, 48V GaN RF Pwr Tr

ຜູ້ຜະລິດQorvo(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)

ModelQPD0020

ຕິດຕໍ່

ຈຳນວນ

ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ

ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ

ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ

ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ

Gain: 16.7 dB

Technology: GaN

Unit Weight: 1.430 g

Output Power: 34.7 W

Mounting Style: SMD/SMT

Development Kit: QPD0020EVB02

Transistor Type: HEMT

Moisture Sensitive: Yes

Maximum Drain Gate Voltage: 48 V

Maximum Operating Frequency: 6 GHz

Minimum Operating Frequency: 0 Hz

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 48 V

ສິນຄ້າທີ່ກ່ຽວຂ້ອງ

ເບິ່ງເພີ່ມເຕີມ

Qorvo QPD0007TR13 GaN FETs 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN ຊັນເຊນເດີລະດັບເອົາເອງ

Qorvo QPD0007TR13 GaN FETs 3.4-3.8GHz 15W 50V GaN ຊັນເຊນເດີລະດັບເອົາເອງ

ຕິດຕໍ່

Infineon IGO60R070D1AUMA2 GaN FETs HV GAN DISCRETES

Infineon IGO60R070D1AUMA2 GaN FETs HV GAN DISCRETES

ຕິດຕໍ່

MACOM GTVA261701FA-V1-R2 GaN FETs RF LDMOS FET

MACOM GTVA261701FA-V1-R2 GaN FETs RF LDMOS FET

ຕິດຕໍ່

ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2 ຂັ້ນພະລັງງານ GaN HEMT Nano Cap, EcoGaN, 650V 50mohm 2MHz, ຂັ້ນພະລັງງານ GaN HEMT IC

ROHM Semiconductor BM3G005MUV-LBE2 ຂັ້ນພະລັງງານ GaN HEMT Nano Cap, EcoGaN, 650V 50mohm 2MHz, ຂັ້ນພະລັງງານ GaN HEMT IC

ຕິດຕໍ່

Infineon GS-065-008-1-L-MR GaN FETs 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, ດ້ານລຸ່ມທີ່ຖືກເຢັນ

Infineon GS-065-008-1-L-MR GaN FETs 650V, 8A, GaN E-mode, 5x6 PDFN, ດ້ານລຸ່ມທີ່ຖືກເຢັນ

ຕິດຕໍ່

Infineon GS66502B-MR GaN FETs 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX ພາກສ່ວນ, ດ້ານລຸ່ມທີ່ຖືກເຢັນ

Infineon GS66502B-MR GaN FETs 650V, 7.5A, GaN E-mode, GaNPX ພາກສ່ວນ, ດ້ານລຸ່ມທີ່ຖືກເຢັນ

ຕິດຕໍ່

Infineon GS-065-030-6-LT-TR GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 ສໍາລັບປະສິດຕິພາບສູງສຸດແລະຄວາມເຊື່ອມໄວ້ໄດ້

Infineon GS-065-030-6-LT-TR GaN FETs CoolGaN Transistor 700 V G4 ສໍາລັບປະສິດຕິພາບສູງສຸດແລະຄວາມເຊື່ອມໄວ້ໄດ້

ຕິດຕໍ່

MACOM CGH40090PP GaN HEMTs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 ວັດ

MACOM CGH40090PP GaN HEMTs GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 ວັດ

ຕິດຕໍ່

MACOM CGHV1J025D-GP4 GaN HEMTs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

MACOM CGHV1J025D-GP4 GaN HEMTs GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt

ຕິດຕໍ່

MACOM CG2H40035P GaN FETs GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL

MACOM CG2H40035P GaN FETs GaN HEMT, G28V4, 35W, DC-6.0GHz, PILL

ຕິດຕໍ່