PANJIT PJW4P06A-AU_R2_000A1 MOSFETs 60V P-Channel ໂມດພະລັງງານການປັບປຸງ MOSFET
ຜູ້ຜະລິດPANJIT(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelPJW4P06A-AU_R2_000A1
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Unit Weight: 123 mg
Channel Mode: Enhancement
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 10 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 3.1 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 110 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ