ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 5.3 mm
Height: 21.08 mm
Length: 16.26 mm
Technology: Si
Unit Weight: 38 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 200 W
DC Current Gain hFE Max: 80
Gain Bandwidth Product fT: 4 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 400 V
Continuous Collector Current: 16 A
Maximum DC Collector Current: 16 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 20
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 250 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.4 V
