ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 4.9 mm
Height: 16.2 - 4 mm
Length: 15.2 mm
Technology: Si
Unit Weight: 6.500 g
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 125 W
Gain Bandwidth Product fT: 1 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 160 V
Continuous Collector Current: 16 A
Maximum DC Collector Current: 16 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 65 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 15
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 3.5 V
