onsemi 2SC5994-TD-E BJTs - ບິໂພລາ ແທຣນຊິສຕໍເຣີ BIP NPN 2A 50V
ຜູ້ຜະລິດonsemi(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
Model2SC5994-TD-E
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Unit Weight: 51.400 mg
REACH - SVHC: Details
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 3.5 W
DC Current Gain hFE Max: 560
Gain Bandwidth Product fT: 420 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 100 V
Continuous Collector Current: 2 A
Maximum DC Collector Current: 2 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 135 mV
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ