ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ

Mounting: Clamp style
Band Type: Band D
Sensor Width: 5.08 mm
Output Signal: Voltage
Repeatability: ± 10 mK @ 4.2 K
Sensor Height: 11.252 mm
Sensor Length: 7.925 mm
Sensor Threads: 4-40
Reverse Voltage: 60 V
Current, Max Note: 1 mA, continuous or 100 mA, pulsed
Sensor Wire Length: 914.4 mm
Supply Power Effects: 16 µW @ 4.2 K; 10 µW @ 77 K; 5 µW @ 300 K
Thermal Response Time: SD Model: Typical <10 ms @; 4.2 K, 100 ms @ 77 K, 200 ms ;@ 305 K;BR Model: 1 ms @ 4.2 K, ;13 ms @ 77 K, 20 ms @ 305 K
Use in Radiation Note: Recommended for use only in low level radiation
Recommended Excitation: 10 µA, ± 0.1%
Temperature Sensor Type: Silicon Diode
Process Temperature, Max: 226.85 °C
Process Temperature, Min: -271.8 °C
Accuracy Band Availability: 1, 2, 3, 4
Use in Magnetic Field Note: Not recommended for use in magnetic field applications below 60 K; low magnetic field dependence when used in fields up to 5 tesla above 60 K