NXP A5G26H110NT4 RF Power MOSFET Airfast RF Power GaN Amplifier, 2496-2690 MHz, 15 W Avg., 48 V
ຜູ້ຜະລິດNXP(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelA5G26H110NT4
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: GaN-on-Si
Mounting Style: SMD/SMT
Moisture Sensitive: Yes
Number of Channels: 2 Channel
Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V
Id - Continuous Drain Current: 8.7 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 125 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ