ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Configuration: Dual
Qualification: AEC-Q101
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN, PNP
Pd - Power Dissipation: 550 mW
DC Current Gain hFE Max: 300 at 150 mA, 10 V
Gain Bandwidth Product fT: 200 MHz, 300 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V, 75 V
Continuous Collector Current: 600 mA
Maximum DC Collector Current: 800 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 100 at 150 mA, 10 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V, 60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1 V
