ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Type: Power MOSFET
Vgs(th): 0.6V
Vgs (Max): 8V
Gate Charge (Qg): 8.8nC
Power consumption: 417mW
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 12V
Continuous drain current: 1.52A
Input Capacitance (Ciss): 500pF
Operating temperature range: -55 to 150C
Field-effect transistor type: P-CH
Drain to Source on-state resistance: 120mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8|4.5V
