ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 17 dB
Technology: GaN
Output Power: 340 W
Configuration: Dual Common Source
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Maximum Operating Frequency: 2.69 GHz
Minimum Operating Frequency: 2.62 GHz
Id - Continuous Drain Current: 7.5 A
Maximum Operating Temperature: + 225 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3.8 V
