MACOM GTVA104001FA-V1-R0 GaN FETs GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
ຜູ້ຜະລິດMACOM(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelGTVA104001FA-V1-R0
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Gain: 19 dB
Technology: GaN
Output Power: 400 W
Mounting Style: Screw Mount
Development Kit: LTN/GTVA104001FA-V1
Transistor Type: GaN HEMT
Transistor Polarity: N-Channel
Maximum Operating Frequency: 1.215 GHz
Minimum Operating Frequency: 960 MHz
Id - Continuous Drain Current: 4.6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V to 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ