ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Gain: 17 dB
Technology: GaN
Unit Weight: 2.285 g
Output Power: 25 W
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: GaN HEMT
Number of Channels: 4 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Maximum Operating Frequency: 18 GHz
Minimum Operating Frequency: 10 MHz
Id - Continuous Drain Current: 2 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 600 mOhms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 10 V to 2 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: - 3 V
