ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 2.176 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 500 mW (1/2 W)
Gate-Source Cutoff Voltage: - 6 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 60 mA
Id - Continuous Drain Current: 1 nA
Forward Transconductance - Min: 10 mS
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 25 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 10 V
