InterFET IFN5566 JFET JFET ຊ່ອງ N (ຄູ່) -40V ສຽງເສຍຕ່ຳ
ຜູ້ຜະລິດInterFET(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelIFN5566
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: Si
Unit Weight: 2.163 g
Configuration: Dual
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 650 mW
Gate-Source Cutoff Voltage: - 3 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 30 mA
Forward Transconductance - Min: 7000 uhmo
Rds On - Drain-Source Resistance: 100 Ohms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 40 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ