ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Technology: Si
Unit Weight: 875.650 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.8 W
Gate-Source Cutoff Voltage: - 4 V
Drain-Source Current at Vgs=0: 80 mA
Id - Continuous Drain Current: 500 pA
Rds On - Drain-Source Resistance: 60 Ohms
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: - 30 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 15 V
