For full functionality of this site it is necessary to enable JavaScript.
EMIN.COM.LA
0
Product image

Infineon IRF5851 Trans MOSFET N/P-CH 20V 2.7A/2.2A 6-Pin TSOP

ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ

Type: Power MOSFET

FET Feature: Logic Level Gate

Mounting Type: Surface Mount

Power-Maximum: 960mW

Drain to Source voltage: 20V

Continuous drain current: 2.7A/2.2A

Current - Drain (Id) (25°C): 2.7|2.2A

Field-effect transistor type: N and P-Channel

Gate Charge - (when applying Vgs): 6nC@4.5V

Drain to Source on-state resistance: 90mOhm/135mOhm

On Voltage - (Vgs when Id is applied): 1.25V@250uA

On Resistance - (Rds when Id,Vgs is applied): 90mOhm@2.7A|4.5V

Input Capacitance - (Ciss when Vds is applied): 400pF@15V

ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ

ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.

ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.

ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ

ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ