Infineon IPB530N15N3GATMA1 MOSFET
ຜູ້ຜະລິດInfineon(ເບິ່ງສິນຄ້າອື່ນໆຂອງຍີ່ຫໍ້ນີ້)
ModelIPB530N15N3GATMA1
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Vgs(th): 4 V
Vgs (Max): 20V
Gate Charge (Qg): 12nC
Power consumption: 68W
Technology System: MOSFET(Metal Oxide)
Drain to Source voltage: 150V
Continuous drain current: 21A
Input Capacitance (Ciss): 887pF
Operating temperature range: -55 to 175C
Field-effect transistor type: N-CH
Drain to Source on-state resistance: 53mOhm
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8|10V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ