Infineon GS66516T-TR GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX ພາກເກັດ, ດິນຫນ້າຫົວເຢັນ

Name: Infineon GS66516T-TR GaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX ພາກເກັດ, ດິນຫນ້າຫົວເຢັນ
Brand: Infineon

ModelGS66516T-TR

ຕິດຕໍ່

ຈຳນວນ

ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ

ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ

ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ

ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ

Technology: GaN

Channel Mode: Enhancement

Configuration: Single

Mounting Style: SMD/SMT

Transistor Type: E-Mode

Qg - Gate Charge: 14.2 nC

Moisture Sensitive: Yes

Number of Channels: 1 Channel

Transistor Polarity: N-Channel

Vgs - Gate-Source Voltage: - 10 V, + 7 V

Maximum Operating Frequency: > 10 MHz

Minimum Operating Frequency: 0 Hz

Id - Continuous Drain Current: 60 A

Maximum Operating Temperature: + 150 C

Minimum Operating Temperature: - 55 C

Rds On - Drain-Source Resistance: 32 mOhms

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.6 V

ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ

ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.

ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.

ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ

ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ