ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Fall Time: 16 ns
Rise Time: 26 ns
Technology: SiC
Unit Weight: 1.600 g
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 130 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 366 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 5 V, + 20 V
Typical Turn-On Delay Time: 96 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 35 ns
Id - Continuous Drain Current: 34 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 5.8 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 120 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 3.3 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4.5 V
