ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 0.76 mm
Height: 0.8 mm
Length: 1.575 mm
Technology: Si
Unit Weight: 2 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 1.7 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 250 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Id - Continuous Drain Current: 190 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3 V
