ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 3.9 mm
Height: 8 mm
Length: 4.9 mm
Technology: Si
Unit Weight: 371.100 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 900 mW
DC Current Gain hFE Max: 320
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Collector- Base Voltage VCBO: 160 V
Continuous Collector Current: 1 A
Maximum DC Collector Current: 1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5 V
