ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 3.93 mm
Height: 4.7 mm
Length: 4.7 mm
Technology: Si
Unit Weight: 179 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 500 mW
DC Current Gain hFE Max: 800
Gain Bandwidth Product fT: 100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 120 V
Continuous Collector Current: - 50 mA
Maximum DC Collector Current: 50 mA
Maximum Operating Temperature: + 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 200
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 120 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 90 mV
