ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 1.4 mm
Height: 1 mm
Length: 3.05 mm
Technology: Si
Unit Weight: 8 mg
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: PNP
Pd - Power Dissipation: 1.81 W
DC Current Gain hFE Max: 900 at - 10 mA, - 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 290 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Collector- Base Voltage VCBO: 25 V
Continuous Collector Current: - 4 A
Maximum DC Collector Current: 4 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 20 at - 10 A, - 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 155 mV
