ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 3.1 mm
Height: 0.95 mm
Length: 3.1 mm
Technology: Si
Unit Weight: 140 mg
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 870 mW
DC Current Gain hFE Max: 250 at 10 mA, 2 V
Gain Bandwidth Product fT: 112 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 7.5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Continuous Collector Current: 3.5 A
Maximum DC Collector Current: 3.5 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 200 at 3.5 A, 2 V, 40 at 10 A, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 20 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 160 mV
