ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Width: 2.41 mm
Height: 4.01 mm
Length: 4.77 mm
Technology: Si
Unit Weight: 453.600 mg
Configuration: Single
Mounting Style: Through Hole
Transistor Polarity: NPN
Pd - Power Dissipation: 1 W
DC Current Gain hFE Max: 500 at 100 mA, 5 V
Gain Bandwidth Product fT: 70 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Collector- Base Voltage VCBO: 180 V
Continuous Collector Current: 500 mA
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: + 200 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min: 500 at 100 mA, 5 V, 150 at 200 mA, 5 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 180 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 250 mV
