Diodes Incorporated DMWSH120H90SCT7Q-13 SiC MOSFETS SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 T&R 0.8K
ModelDMWSH120H90SCT7Q-13
ຕິດຕໍ່
ການຊຳລະເງິນທີ່ປອດໄພ
ການຮັບປະກັນຄຸນນະພາບ
ປ່ຽນ ແລະ ສົ່ງຄືນງ່າຍ
ມີບໍລິການຈັດສົ່ງ
Technology: SiC
Channel Mode: Enhancement
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 54.6 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 197 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 4 V, + 15 V
Id - Continuous Drain Current: 38.2 A
Maximum Operating Temperature: + 175 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.5 V
ຕິດຕາມຂ່າວສານ ແລະ ຂໍ້ສະເໜີ
ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ການຊ່ວຍເຫຼືໍາດ່ວນ
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ