ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Fall Time: 3.3 ns
Rise Time: 5.9 ns
Technology: Si
Unit Weight: 30 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Mounting Style: SMD/SMT
Transistor Type: 2 N-Channel
Qg - Gate Charge: 15.3 nC
Number of Channels: 2 Channel
Transistor Polarity: N-Channel
Pd - Power Dissipation: 980 mW
Vgs - Gate-Source Voltage: - 16 V, + 16 V
Typical Turn-On Delay Time: 4 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 11.7 ns
Id - Continuous Drain Current: 25.3 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Rds On - Drain-Source Resistance: 22 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 65 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.3 V
