ຮັບສ່ວນຫຼຸດພິເສດຕາມປະລິມານ, ອັບເດດລາຄາຂາຍສົ່ງ ແລະ ການແຈ້ງເຕືອນສິນຄ້າໃໝ່ສົ່ງກົງເຖິງອິນບັອກຂອງທ່ານ.
ໂດຍການສະໝັກສະມາຊິກ, ທ່ານຍອມຮັບ ເງື່ອນໄຂການໃຫ້ບໍລິການ ແລະ ນະໂຍບາຍຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ ຂອງພວກເຮົາ.
ເຂົ້າເຖິງຜູ້ຊ່ຽວຊານທີ່ໄດ້ຮັບການຢັ້ງຢືນຂອງພວກເຮົາໂດຍກົງ
Fall Time: 38 ns
Rise Time: 10.7 ns
Technology: Si
Unit Weight: 1.800 mg
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Mounting Style: SMD/SMT
Qg - Gate Charge: 2.3 nC
Number of Channels: 1 Channel
Transistor Polarity: P-Channel
Pd - Power Dissipation: 1.66 W
Vgs - Gate-Source Voltage: - 6 V, + 6 V
Typical Turn-On Delay Time: 7.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time: 48 ns
Id - Continuous Drain Current: 4.1 A
Maximum Operating Temperature: + 150 C
Minimum Operating Temperature: - 55 C
Forward Transconductance - Min: 3.7 S
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 800 mV
